Enerji saxlama sisteminin dəyəri əsasən batareyalardan və enerji saxlama inverterlərindən ibarətdir.İkisinin cəmi elektrokimyəvi enerji saxlama sisteminin dəyərinin 80%-ni təşkil edir ki, bunun da 20%-ni enerji saxlama çeviricisi təşkil edir.IGBT izolyasiya şəbəkəsi bipolyar kristal enerji saxlama çeviricisinin yuxarı axın xammalıdır.IGBT-nin performansı inverterin dəyərinin 20%-30%-ni təşkil edən enerji saxlama çeviricisinin işini müəyyən edir.
Enerji saxlama sahəsində IGBT-nin əsas rolu enerji saxlama tətbiqlərində əvəzolunmaz bir cihaz olan transformator, tezlik çevrilməsi, intervolution çevrilməsi və s.
Şəkil: IGBT modulu
Enerji saxlama dəyişənlərinin yuxarı axın xammalına IGBT, tutum, müqavimət, elektrik müqaviməti, PCB və s. daxildir. Onların arasında IGBT hələ də əsasən idxaldan asılıdır.Texnologiya səviyyəsində yerli IGBT ilə dünyanın aparıcı səviyyəsi arasında hələ də boşluq var.Bununla belə, Çinin enerji saxlama sənayesinin sürətli inkişafı ilə IGBT-nin yerliləşdirilməsi prosesinin də sürətlənəcəyi gözlənilir.
IGBT enerji saxlama tətbiqi dəyəri
Fotovoltaik ilə müqayisədə IGBT enerji saxlama dəyəri nisbətən yüksəkdir.Enerji saxlama iki keçidi əhatə edən daha çox IGBT və SIC istifadə edir: DCDC və DCAC, o cümlədən iki həll, o cümlədən optik yaddaş inteqrasiya olunmuş və ayrıca enerji saxlama sistemi.Müstəqil enerji saxlama sistemi, enerji yarımkeçirici cihazların miqdarı fotovoltaikdən təxminən 1,5 dəfə çoxdur.Hazırda optik yaddaş 60-70%-dən çox, ayrı-ayrı enerji saxlama sistemi isə 30% təşkil edə bilər.
Şəkil: BYD IGBT modulu
IGBT geniş tətbiq təbəqələrinə malikdir və bu, enerji saxlama çeviricisində MOSFET-dən daha üstündür.Faktiki layihələrdə IGBT tədricən MOSFET-i fotovoltaik çeviricilərin və külək enerjisi istehsalının əsas cihazı kimi əvəz etdi.Yeni enerji istehsalı sənayesinin sürətli inkişafı IGBT sənayesi üçün yeni hərəkətverici qüvvəyə çevriləcək.
IGBT enerjinin çevrilməsi və ötürülməsi üçün əsas cihazdır
IGBT tam olaraq klapan nəzarəti ilə elektron ikitərəfli (çox istiqamətli) axını idarə edən bir tranzistor kimi başa düşülə bilər.
IGBT, BJT bipolyar triodundan və izolyasiya edən şəbəkə sahə effekti borusundan ibarət kompozit tam idarəetmə gərginliyi ilə idarə olunan güc yarımkeçirici cihazıdır.Təzyiq düşməsinin iki aspektinin üstünlükləri.
Şəkil: IGBT modulunun strukturunun sxematik diaqramı
IGBT-nin keçid funksiyası IGBT-ni idarə etmək üçün PNP tranzistoruna əsas cərəyanı təmin etmək üçün qapı gərginliyinə müsbət əlavə edərək bir kanal yaratmaqdır.Əksinə, kanalı aradan qaldırmaq üçün tərs qapı gərginliyini əlavə edin, əks əsas cərəyandan keçin və IGBT-ni söndürün.IGBT-nin sürmə üsulu əsasən MOSFET ilə eynidir.O, yalnız N bir kanallı MOSFET giriş qütbünü idarə etməlidir, ona görə də yüksək giriş empedansı xüsusiyyətlərinə malikdir.
IGBT enerjinin çevrilməsi və ötürülməsinin əsas cihazıdır.O, ümumiyyətlə elektrik elektronik cihazlarının “CPU”su kimi tanınır.Milli strateji inkişaf edən sənaye olaraq, yeni enerji avadanlıqlarında və digər sahələrdə geniş istifadə edilmişdir.
IGBT-nin yüksək giriş empedansı, aşağı idarəetmə gücü, sadə idarəetmə dövrəsi, sürətli keçid sürəti, böyük vəziyyət cərəyanı, azaldılmış təxribat təzyiqi və kiçik itki daxil olmaqla bir çox üstünlükləri var.Buna görə də, mövcud bazar mühitində mütləq üstünlüklərə malikdir.
Buna görə də, IGBT mövcud enerji yarımkeçirici bazarının ən əsas axını halına gəldi.Yeni enerji enerjisi istehsalı, elektrik nəqliyyat vasitələri və doldurma yığınları, elektrikləşdirilmiş gəmilər, DC ötürülməsi, enerji saxlama, sənaye elektrik nəzarəti və enerji qənaəti kimi bir çox sahədə geniş istifadə olunur.
Şəkil:İnfineonIGBT modulu
IGBT təsnifatı
Fərqli məhsul strukturuna görə, IGBT üç növə malikdir: tək boru, IGBT modulu və smart güc modulu IPM.
(Yükləmə yığınları) və digər sahələr (əsasən cari bazarda satılan belə modul məhsullar).Ağıllı güc modulu IPM əsasən inverter kondisionerlər və tezliyə çevrilən paltaryuyan maşınlar kimi ağ məişət texnikası sahəsində geniş istifadə olunur.
Tətbiq ssenarisinin gərginliyindən asılı olaraq IGBT-nin ultra-aşağı gərginlik, aşağı gərginlik, orta gərginlik və yüksək gərginlik kimi növləri var.
Onların arasında yeni enerji vasitələri, sənaye nəzarəti və məişət texnikası tərəfindən istifadə edilən IGBT əsasən orta gərginlikdir, dəmir yolu tranziti, yeni enerji enerjisi istehsalı və smart şəbəkələr isə əsasən yüksək gərginlikli IGBT istifadə edərək daha yüksək gərginlik tələblərinə malikdir.
IGBT əsasən modullar şəklində görünür.IHS məlumatları modulların və tək boruların nisbətinin 3 olduğunu göstərir: 1. Modul IGBT çipi və FWD (davam edən diod çipi) tərəfindən fərdiləşdirilmiş dövrə körpüsü və plastik çərçivələr, altlıqlar və altlıqlar vasitəsilə hazırlanmış modul yarımkeçirici məhsuldur. və s.
Mbazar vəziyyəti:
Çin şirkətləri sürətlə inkişaf edir və onlar hazırda idxaldan asılıdırlar
2022-ci ildə ölkəmin IGBT sənayesi təxminən 156 milyon tələbat və 26,3% özünü təmin edən 41 milyon məhsul istehsal etdi.Hazırda daxili IGBT bazarını əsasən Yingfei Ling, Mitsubishi Motor və Fuji Electric kimi xarici istehsalçılar tutur ki, onların arasında ən yüksək nisbət 15,9% olan Yingfei Lingdir.
IGBT modul bazarı CR3 56,91%-ə çatdı və yerli istehsalçılar Star Director və CRRC-nin 5,01% dövrünün ümumi payı 5,01% təşkil etdi.Qlobal IGBT split cihazının ilk üç istehsalçısının bazar payı 53,24%-ə çatıb.Yerli istehsalçılar 3,5% bazar payı ilə qlobal IGBT cihazının ilk on bazar payına daxil oldular.
IGBT əsasən modullar şəklində görünür.IHS məlumatları modulların və tək boruların nisbətinin 3 olduğunu göstərir: 1. Modul IGBT çipi və FWD (davam edən diod çipi) tərəfindən fərdiləşdirilmiş dövrə körpüsü və plastik çərçivələr, altlıqlar və altlıqlar vasitəsilə hazırlanmış modul yarımkeçirici məhsuldur. və s.
Mbazar vəziyyəti:
Çin şirkətləri sürətlə inkişaf edir və onlar hazırda idxaldan asılıdırlar
2022-ci ildə ölkəmin IGBT sənayesi təxminən 156 milyon tələbat və 26,3% özünü təmin edən 41 milyon məhsul istehsal etdi.Hazırda daxili IGBT bazarını əsasən Yingfei Ling, Mitsubishi Motor və Fuji Electric kimi xarici istehsalçılar tutur ki, onların arasında ən yüksək nisbət 15,9% olan Yingfei Lingdir.
IGBT modul bazarı CR3 56,91%-ə çatdı və yerli istehsalçılar Star Director və CRRC-nin 5,01% dövrünün ümumi payı 5,01% təşkil etdi.Qlobal IGBT split cihazının ilk üç istehsalçısının bazar payı 53,24%-ə çatıb.Yerli istehsalçılar 3,5% bazar payı ilə qlobal IGBT cihazının ilk on bazar payına daxil oldular.
Göndərmə vaxtı: 08 iyul 2023-cü il