Aparat mühəndislərinin bir çox layihələri çuxur lövhəsində tamamlanır, lakin enerji təchizatının müsbət və mənfi terminallarını təsadüfən birləşdirmək fenomeni var ki, bu da bir çox elektron komponentlərin yanmasına və hətta bütün lövhənin məhv olmasına səbəb olur və o, yenidən qaynaqlanacaq, bilmirəm bunu necə yaxşı həll etmək olar?
Əvvəla, ehtiyatsızlıq qaçılmazdır, baxmayaraq ki, yalnız müsbət və mənfi iki teli, qırmızı və qaranı ayırd etmək üçün bir dəfə simli ola bilər, səhv etməyəcəyik; On əlaqə səhv getməyəcək, amma 1000? Bəs 10.000? Bu zaman demək çətindir ki, diqqətsizliyimiz nəticəsində bəzi elektron komponentlər və çiplər yandı, əsas səbəb cərəyanın həddindən artıq çox olması səfir komponentlərinin xarab olmasıdır, ona görə də əks əlaqənin qarşısını almaq üçün tədbirlər görməliyik. .
Aşağıdakı üsullar ümumiyyətlə istifadə olunur:
01 diod seriyası tipli əks qorunma dövrəsi
İrəli diod, diodun irəli keçirmə və tərs kəsmə xüsusiyyətlərindən tam istifadə etmək üçün müsbət güc girişində ardıcıl olaraq birləşdirilir. Normal şəraitdə ikincili boru keçir və dövrə lövhəsi işləyir.
Enerji təchizatı tərsinə çevrildikdə, diod kəsilir, enerji təchizatı bir döngə yarada bilmir və dövrə lövhəsi işləmir, bu da enerji təchizatı probleminin qarşısını effektiv şəkildə ala bilər.
02 Rektifikator körpü tipli əks qoruma dövrəsi
Güc girişini qeyri-qütblü girişə dəyişdirmək üçün rektifikator körpüsündən istifadə edin, enerji təchizatı qoşulub və ya tərs olub, lövhə normal işləyir.
Silikon diodda təxminən 0,6 ~ 0,8 V təzyiq düşməsi varsa, germanium diodunda da təxminən 0,2 ~ 0,4 V təzyiq düşməsi var, təzyiq düşməsi çox böyükdürsə, MOS borusu anti-reaksiya müalicəsi üçün istifadə edilə bilər, MOS borusunun təzyiq düşməsi çox kiçikdir, bir neçə milliohm-a qədərdir və təzyiq düşməsi demək olar ki, əhəmiyyətsizdir.
03 MOS borusu əks mühafizə dövrəsi
MOS borusu prosesin təkmilləşdirilməsi, öz xüsusiyyətləri və digər amillər səbəbindən onun keçirici daxili müqaviməti kiçikdir, bir çoxu milliohm səviyyəsindədir və ya daha kiçikdir, belə ki, dövrə gərginliyinin düşməsi, dövrənin səbəb olduğu güc itkisi xüsusilə kiçik və ya cüzidir. , beləliklə, dövrəni qorumaq üçün MOS borusunu seçmək daha tövsiyə olunan bir yoldur.
1) NMOS qorunması
Aşağıda göstərildiyi kimi: Enerji işə salınma anında MOS borusunun parazit diodu işə salınır və sistem döngə əmələ gətirir. S mənbəyinin potensialı təxminən 0,6V, G qapısının potensialı isə Vbatdır. MOS borusunun açılış gərginliyi son dərəcə yüksəkdir: Ugs = Vbat-Vs, qapı yüksəkdir, NMOS-un ds-i işə salınıb, parazit diod qısaqapanıb və sistem NMOS-un ds girişi vasitəsilə dövrə təşkil edir.
Enerji təchizatı tərsinə çevrilirsə, NMOS-un gərginliyi 0-dır, NMOS kəsilir, parazit diod dəyişdirilir və dövrə ayrılır, beləliklə qoruma meydana gəlir.
2) PMOS qorunması
Aşağıda göstərildiyi kimi: Enerji işə salınma anında MOS borusunun parazit diodu işə salınır və sistem döngə əmələ gətirir. S mənbəyinin potensialı təxminən Vbat-0.6V, G qapısının potensialı isə 0-dır. MOS borusunun açılış gərginliyi həddindən artıqdır: Ugs = 0 – (Vbat-0.6), qapı özünü aşağı səviyyə kimi aparır. , PMOS-un ds-i aktivdir, parazit diod qısaqapanır və sistem PMOS-un ds girişi vasitəsilə dövrə yaradır.
Enerji təchizatı tərsinə çevrilirsə, NMOS-un gərginliyi 0-dan böyükdür, PMOS kəsilir, parazit diod dəyişdirilir və dövrə ayrılır, beləliklə qoruma meydana gəlir.
Qeyd: NMOS boruları mənfi elektroda ds, PMOS boruları isə müsbət elektroda ds bağlayır və parazit diod istiqaməti düzgün birləşdirilən cərəyan istiqamətinə doğrudur.
MOS borusunun D və S dirəklərinin çıxışı: adətən N kanallı MOS borusu istifadə edildikdə, cərəyan ümumiyyətlə D qütbündən daxil olur və S qütbündən çıxır, PMOS isə S qütbünə daxil olur və D çıxır. qütbdür və bu dövrədə tətbiq edildikdə bunun əksi doğrudur, MOS borusunun gərginlik vəziyyəti parazit diodun keçirilməsi ilə qarşılanır.
MOS borusu G və S dirəkləri arasında uyğun gərginlik qurulduqca tam işə düşəcək. Keçirdikdən sonra, D və S arasında bir keçid bağlanmış kimidir və cərəyan D-dən S-ə və ya S-dən D-yə eyni müqavimətdir.
Praktik tətbiqlərdə G dirəyi ümumiyyətlə bir rezistorla bağlanır və MOS borusunun parçalanmasının qarşısını almaq üçün bir gərginlik tənzimləyicisi diodu da əlavə edilə bilər. Bölücüyə paralel bağlanmış kondansatör yumşaq başlanğıc effektinə malikdir. Bu anda cərəyan axmağa başlayır, kondansatör doldurulur və G dirəyinin gərginliyi tədricən qurulur.
PMOS üçün, NOMS ilə müqayisədə, Vgs-in eşik gərginliyindən böyük olması tələb olunur. Açılış gərginliyi 0 ola bildiyi üçün DS arasındakı təzyiq fərqi böyük deyil, bu NMOS-dan daha sərfəlidir.
04 Qoruyucu qoruma
Bir çox ümumi elektron məhsullar enerji təchizatı hissəsini qoruyucu ilə açdıqdan sonra görünə bilər, enerji təchizatı tərsinə çevrilir, böyük cərəyan səbəbindən dövrədə qısa qapanma olur və sonra qoruyucu partlayır, qoruyucu funksiyanı yerinə yetirir. dövrə, lakin bu şəkildə təmir və dəyişdirmə daha əziyyətlidir.
Göndərmə vaxtı: 08 iyul 2023-cü il
